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TOMI SiNW기술
재료합성: TOMI는 성공적으로 저원가、고효율적으로silicon nanowire(SiNW)을 제조하였으며, 1회적 생산량은>0.5kg/LOT,1차 생산품 순도>93%。
재료분산: TOMI는 성공적으로 고분산상태의silicon nanowire분산액을 제조 재료cladding: TOMI는 성공적으로 고도cladding의Silicon carbon negative을 제조하였으며
우수한 순환성능을 구비함. 토미기술:0.2C~900mAh/g。
TOMI SiNW기술
Embedding:chemical reagent Embedding을 통해silicon nanowire표면이 거칠어지고
조도효율은 기존83% 정도에서 92%로 상향
순환성능은 안정성 유지